Dữ liệu Kim Cương ngày 20 tháng 2, phóng viên từ Viện Kỹ thuật Quang học và Cơ khí chính xác Hàng Châu cho biết, doanh nghiệp ấp ủ của Viện Kỹ thuật Quang học và Cơ khí chính xác Hàng Châu, Công ty TNHH Quang Ga Phúc Gia, đã đạt được bước tiến lớn trong lĩnh vực nuôi cấy tinh thể oxit Gallium bằng phương pháp Vertical Bridgman (VB), với chất lượng tinh thể đơn vượt trội so với mức tiên tiến quốc tế sau khi kiểm tra, hiện đồng bộ giới thiệu thiết bị nuôi cấy tinh thể và quy trình công nghệ vào thị trường. Kết quả kiểm tra cho thấy, tinh thể VB 4 inch được nuôi cấy bằng thiết bị của Phúc Gia không có song sinh trong, độ rộng bán kính góc nửa cao của tinh thể đơn (FWHM) tốt hơn 50arcsec, tương đương với chất lượng tinh thể oxit Gallium nuôi cấy bằng phương pháp điều chỉnh đạo hình, hiệu suất đạt mức tiên tiến quốc tế.
Trang này có thể chứa nội dung của bên thứ ba, được cung cấp chỉ nhằm mục đích thông tin (không phải là tuyên bố/bảo đảm) và không được coi là sự chứng thực cho quan điểm của Gate hoặc là lời khuyên về tài chính hoặc chuyên môn. Xem Tuyên bố từ chối trách nhiệm để biết chi tiết.
Phần thưởng
Thích
1
Chia sẻ
Bình luận
0/400
AGAAHC
· 02-20 03:27
Các loại Tiền điện tử chất lượng với cơ bản tốt đáng giữ, bạn nghĩ sao? Hãy bỏ phiếu bạn bè.
Hiệu suất của lớp oxy hóa gali trên mặt cắt 4 inch VB của Phú Gia đạt mức tiên tiến quốc tế
Dữ liệu Kim Cương ngày 20 tháng 2, phóng viên từ Viện Kỹ thuật Quang học và Cơ khí chính xác Hàng Châu cho biết, doanh nghiệp ấp ủ của Viện Kỹ thuật Quang học và Cơ khí chính xác Hàng Châu, Công ty TNHH Quang Ga Phúc Gia, đã đạt được bước tiến lớn trong lĩnh vực nuôi cấy tinh thể oxit Gallium bằng phương pháp Vertical Bridgman (VB), với chất lượng tinh thể đơn vượt trội so với mức tiên tiến quốc tế sau khi kiểm tra, hiện đồng bộ giới thiệu thiết bị nuôi cấy tinh thể và quy trình công nghệ vào thị trường. Kết quả kiểm tra cho thấy, tinh thể VB 4 inch được nuôi cấy bằng thiết bị của Phúc Gia không có song sinh trong, độ rộng bán kính góc nửa cao của tinh thể đơn (FWHM) tốt hơn 50arcsec, tương đương với chất lượng tinh thể oxit Gallium nuôi cấy bằng phương pháp điều chỉnh đạo hình, hiệu suất đạt mức tiên tiến quốc tế.